Анодная плёнка, мешает ли она процессу щелочного цинкования

Вопрос.

Людмила Манукян:

Здравствуйте! Как уменьшить степень пассивации цинковых анодов при щелочном цинковании? В ванне с цинкатным элетролитом используются цинковые аноды и стальные пластины. Количество цинковых анодов подобрано опытным путём, чтобы концентрация цинка не повышалась.

Ответ.

Уважаемая Людмила! Если концентрация цинка в электролите не повышается при подобранном опытным путем соотношения цинковых и стальных анодов, то активность цинковых анодов достаточна. Тем не менее, рекомендуется поддерживать концентрацию щелочи порядка 110-120 г/л, особенно для цинкования в барабанах, чтобы компенсировать повышенный унос цинка с электролитом.

Вопрос (продолжение)

Благодарю за ответ. Но мой вопрос был связан с тем, что ежедневно приходится зачищать (счищать) окисную плёнку на цинковых анодах. Необходимо ли это делать? Проводится цинкование деталей на подвесках.

Ответ

Судя по всему, Вы используете аноды в виде пластин из катанного цинка. По мере их растворения, площадь анодов уменьшается и анодная плотность тока возрастает, приводя к пассивации. Ежедневно «зачищать» анод слишком трудоемкая операция и приемлема лишь для небольших ванн. (Активировать пассивные цинковые аноды можно в разбавленной соляной кислоте с последующей промывкой).

Однако, целесообразно перейти на насыпные шаровые аноды, помещенные в стальные корзины (подробнее можно посмотреть в рубрике «вопросы-ответы» или в книгах «Цинкование…» или «Практические советы…», которые можно найти на нашем сайте www.galvanicrus.ru).

Главный критерий правильной работы анодов (цинк+сталь) – это уровень концентрации цинка в электролите. Анализ делается быстро и разумно его выполнять ежедневно.

Успехов!

Вопрос (продолжение)

Так всё-таки мешает эта образующаяся плёнка процессу цинкования или нет?

Ответ

Образование гидроксидной пленки на аноде – естественный процесс….

И все-таки, не поленитесь, прочтите упомянутые книги или статью Харламова В.И. в журнале «Гальванотехника и обработка поверхности» за 2005 год, №4, том XII.

В.В. Окулов

05.12.2012